印度源2017年获得德国洪堡研究奖（HumboldtResearchAward）。

图2：促进原子分辨切片横截面的HAADF-STEM图(a-c):TiO2/PTO，STO/PTO以及BFO/PTO异质结，每张图中的黑色箭头指向其异质结界面原子层。【成果简介】近日，可再浙江大学韩高荣教授、可再任召辉副教授课题组与张泽院士、田鹤研究员课题组通力合作，设计并发展了一种以铁电极化表面静电力来驱动氧化物外延生长，从而制备高质量铁电氧化物异质结的新方法。

消纳这一发现将对铁电氧化物异质结的设计与制备起到重要的指导意义。举措相关的研究成果以题为ElectrostaticForce-DrivenOxideHeteroepitaxyforInterfaceControl发表在AdvancedMaterials上。分析(d-f):垂直于每个异质结HAADF-STEM图界面的强度线。

(d-f):分别对应于TiO2/PTO、印度源STO/PTO和BFO/PT原子位移大小变化。(d-g):异质结匹配模型中PTO、促进Ti02、STO以及BFO外延生长晶面的俯视图。

因此,基于铁电极化设计并构建钙钛矿氧化物的异质结、可再系统研究异质结的生长与调控、可再界面屏蔽机制及其功能性，这将为新型光电、磁性、催化、传感等方面的拓展应用提供重要的理论支持。

【小结】本论文以钙钛矿铁电氧化物及其异质结的生长、消纳微结构及性能表征为核心，消纳提出了通过铁电极化表面静电力驱动外延异质结生长的方法，开展了钙钛矿铁电氧化物的微结构、铁电极化、极化屏蔽与性能之间的关联性的研究。其中,钙钛矿铁电氧化物因其独特的铁电极化性能和极化屏蔽性能，举措这已被广泛地研究及应用。

【文献链接】ElectrostaticForce–DrivenOxideHeteroepitaxyforInterfaceControl（AdvancedMaterials，分析2018。印度源(b):STO/PTO异质结界面电子能量损失谱图。

(c):STO/PTO异质结构生长模型的示意图，促进浅蓝色虚线箭头表示电子的转移方向，其中步骤2中的灰色箭头表示去极化场EDEP。可再(d-f):垂直于每个异质结HAADF-STEM图界面的强度线。